半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045096
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243580
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】縦型二重拡散MOSFETにおいて、誘電性負荷特有の逆起電力サージに対する破壊耐量を向上させる。【構成】第2のベース層としての高濃度P型領域8を形成し、続いてソース層となるN型領域7を形成する。この場合、高濃度P型領域8がN型領域7よりも拡散層深さが深くなるようにする。【効果】低濃度N型領域5とP型領域6及び高濃度P型領域8とN型領域7で形成される寄生npnトランジスタのhFEが低減して導通しにくくなり、誘電性負荷に対する破壊耐量が50%向上する。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域となる第1導電型の半導体基板内に、基板表面でゲート・チャンネル領域となる第1のベース層として第2導電型層が形成され、該第2導電型層内に第2のベース層として前記第2導電型層よりも不純物濃度が高い高不純物濃度第2導電型層とソース層となる第1導電型層とが形成された半導体装置において、前記第2のベース層が前記ソース層よりも深く形成されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-192772
特開平1-128576
特開昭59-080969

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