特許
J-GLOBAL ID：200903032412869715
炭化チタン薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321268
公開番号（公開出願番号）：特開平5-132754
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：
【要約】【目的】 基板上に密着性に優れた炭化チタン薄膜を、極めて薄く且つ均一な厚さで形成し、又はマスクを用いることなく微細なパターンで形成する方法を提供する。【構成】 チタンを含む基板1上に炭素薄膜2を形成するか、又はチタンを含まない基板上にチタン薄膜と炭素薄膜を形成した後、これら炭素薄膜の全面に又は局所的に希ガス、炭素又は窒素のイオンビーム3を所定の加速電圧で照射する炭化チタン薄膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
チタンを含む基板上に炭素薄膜を形成し、この炭素薄膜に希ガス、炭素又は窒素のイオンビームを照射することにより、基板表面に炭化チタン薄膜を形成することを特徴とする炭化チタン薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C23C 14/06
, C23C 8/20
, C23C 14/54
, C23C 14/58
, C23C 26/00
