半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135749
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330275
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】MFSFETあるいはMISFETにおけるゲート絶縁膜として熱処理の影響を受けない高品質な強誘電体膜あるいは高誘電体膜を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を有する半導体基板10と、チャネル形成領域と接続するように形成されたソース・ドレイン領域13,15と、半導体基板の上層に形成された絶縁膜23a,24,25と、絶縁膜に形成され、チャネル形成領域を露出する開口部と、開口部の底面および内壁面を被覆して形成されたゲート絶縁膜27aと、開口部内のゲート絶縁膜の上層に形成された導電層34aとを有する構成とし、ソース・ドレイン領域を形成した後にゲート絶縁膜を形成して製造する。

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域を有する半導体基板と、前記チャネル形成領域と接続するように形成されたソース・ドレイン領域と、前記半導体基板の上層に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、前記チャネル形成領域を露出する開口部と、前記開口部の底面および内壁面を被覆して形成されたゲート絶縁膜と、前記開口部内の前記ゲート絶縁膜の上層に形成された導電層とを有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 301 G

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