特許

J-GLOBAL ID：200903032422794217

半導体力学量センサの製造方法

発明者： 金子 洋之 ,  篠原 俊朗 ,  星野 重夫
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-201504
出願日： 1987年09月02日
公開日（公表日）： 1994年07月19日
要約：

【要約】【目的】 同一特性の半導体センサをバッチ処理で作製してコスト低減と品質の共通化を図る。【構成】 基板20に凹部24を形成し、凹部24のある面に上部電極用P型拡散領域21を形成してセンサカバー102を作製し、基板11の表面に配線用P型拡散層13と下部電極用P型拡散層12とを分離形成し、その上面に酸化膜14を選択形成してセンサ本体100を作製する。次にセンサカバー102とセンサ本体100とを対向させてポリシリコン層17により接着し、接着後にセンサを単位としてチップ分割する。これにより、製造工程が簡易化してコスト低減が図れるとともに、ポリシリコンを用いることにより接着性の強化および品質の共通化が図れる。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン基板に複数の凹部を形成し、各凹部の内周面から周縁にかけて第1の電極を形成する工程と、第2のシリコン基板の表面に、互いに絶縁された第2の電極と配線層とを備えた領域を、前記第1のシリコン基板の凹部と同一配置で形成し、各領域の上面に絶縁層を形成し、この絶縁層に、前記配線層と接続するための第1の開口部および第2の開口部と、前記第2の電極と接続するための第3の開口部とをそれぞれ設ける工程と、前記第1の開口部に前記配線層と接続される第1の配線部を設けるとともに、前記第3の開口部に前記第2の電極と接続される第2の配線部を設ける工程と、前記凹部の周縁と略同形のポリシリコン層を、その一部が前記第2の開口部を介して前記配線層と導通するように前記絶縁層上に形成する工程と、前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板とを対向させ、前記凹部の周縁と前記ポリシリコン層とを所定の圧力雰囲気中で熱接着する工程と、接着された前記第1のシリコン基板と前記第2のシリコン基板とを、前記領域を単位として分割する工程と、を備えることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01L 9/12 ,  G01L 7/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-134805
  
• 特開昭57-010270
  
• 特表昭62-500545
  
• 特開昭57-064978