MOSFETの駆動回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-083100
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は大きな入力容量と、大きなゲート抵抗を有するパワーMOSFETモジュールにおいて、オン/オフ時のゲート・ソース間電圧のスイッチング時間の増加を抑制し、高速スイッチング操作を実現するMOSFETの駆動回路を提供することである。【構成】本発明はゲート/ソース間に寄生容量を有する被駆動MOSFET1のゲート・ソース間にオン及びオフ信号を印加し、被駆動MOSFET1をオン状態、オフ状態のスイッチング動作で用いる駆動回路において、被駆動MOSFET1のゲート端子に直列に接続されたゲート抵抗6、被駆動MOSFET1のオン期間とオフ期間を制御するための駆動信号源3、被駆動MOSFET1のゲート・ソース間の耐圧以下に設定されている第1の駆動回路用電源4、その電源の電圧レベルより高い電圧を有する第2の駆動回路用電源7、第1の駆動回路用電源4から第2の駆動回路用電源7を切り換えるスイッチ8を有し、ゲート抵抗6が十分に低くなるのに十分な電圧を印加し、高速にスイッチングを行う。

請求項（抜粋）：

ゲート・ソース間に寄生容量を有する被駆動MOSFETのゲート・ソース間にオン及びオフ信号を印加し、該被駆動MOSFETをオン状態、オフ状態のスイッチング動作で用いる駆動回路において、前記被駆動MOSFETのゲート端子に直列に接続されたゲート抵抗と、電圧レベルにより前記被駆動MOSFETのオン状態の期間とオフ状態の期間を制御する駆動信号源と、前記被駆動MOSFETのゲート・ソース間耐圧以下の電圧レベルに設定されている第1の駆動回路用電源と、前記第1の駆動回路用電源以上の電圧レベルを有する第2の駆動回路用電源と、前記被駆動MOSFETのゲート・ソース間に並列に接続されたスイッチと、前記駆動信号源の信号がハイレベル状態の初期に前記ゲート抵抗に前記第2の駆動回路用電源の電圧レベルを印加し、前記被MOSFETのゲート・ソース間電圧が被駆動MOSFETのゲート・ソース間耐圧に達する以前に、前記ゲート抵抗に印加する電圧レベルを前記第1の駆動回路用電源の電圧レベルに切り換え、さらに、前記駆動信号源の信号がローレベルの期間は前記ゲート・ソース間の前記スイッチを閉じるように制御する電源切り換え手段とを有することを特徴とするMOSFETの駆動回路。

前のページに戻る