特許

J-GLOBAL ID：200903032436799025

超伝導体の磁気特性評価のための解析手法

発明者： 小西 哉 ,  西峯 弘哲 ,  須賀 政晴 ,  二村 宗男
出願人/特許権者： 財団法人上田繊維科学振興会 ,  小西 哉 ,  西峯 弘哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-144121
公開番号（公開出願番号）：特開2001-289930
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】超伝導体と磁石間にはたらく磁気力のシミュレーションを行うことにより、超伝導体の磁気特性を定量的に評価するための解析手法。【解決手段】外部磁場依存性を有するマイスナー成分と、超伝導体に加わる外部磁場ならびに、その履歴によって決定され、外部磁場依存性を有するピン止め成分と、磁気的作用を起こさない非磁性成分とから成る磁気双極子を超伝導体全表面に格子状に配置したモデルを用いて、超伝導体と磁石間にはたらく磁気力の測定値をシミュレーションすることにより、得られたパラメータから超伝導体の磁化を計算し、超伝導体の磁気特性を定量的に評価するための解析手法。

請求項（抜粋）：

超伝導体と磁石間にはたらく磁気力のシミュレーションを行うことにより、超伝導体の磁化を計算し、超伝導体の磁気特性を定量的に評価することを特徴とする超伝導体の磁気特性評価のための解析手法。

IPC (4件)：

G01R 33/12 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/00

FI (4件)：

G01R 33/12 ZAA Z ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA G ,  H01L 39/00 ZAA M

Fターム (4件)：

2G017AD40 ,  2G017CA01 ,  2G017CD00 ,  4M113AC44