特許
J-GLOBAL ID：200903032438706008
硫酸銅めっき方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 昂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323139
公開番号（公開出願番号）：特開平6-173097
出願日： 1992年12月02日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】 穴径に比較して長さが大きい高アスペクト比のスルーホールを有するプリント基板のめっき処理において、良好な均一電着性を実現できるとともに、めっき液管理が容易でめっき液の長寿命化を図れる硫酸銅めっき方法の提供を目的とする。【構成】 添加剤を所定の濃度で添加した硫酸銅めっき液2を、一の陰極としての被めっき基板3での陰極電流密度を低電流密度(約0.2〜0.8Amp/dm2 )に設定して電解するとともに、他の陰極での陰極電流密度を高電流密度(約1.5Amp/dm2 以上)に設定して電解する。低電流密度による電解で被めっき基板3に均一電着性の良好な銅層が形成され、高電流密度による電解でめっき液2中の添加剤成分のうち低電流密度による電解では分解されない成分が分解される。尚、5は陽極、6,7は整流器(電源)である。
請求項（抜粋）：
添加剤を所定の濃度で添加した硫酸銅めっき液(2) を、一の陰極としての被めっき基板(3) での陰極電流密度を低電流密度に設定して電解するとともに、他の陰極(4) での陰極電流密度を高電流密度に設定して電解することを特徴とする硫酸銅めっき方法。
IPC (4件)：
C25D 21/18
, C25D 21/12
, H05K 3/18
, H05K 3/42
