特許
J-GLOBAL ID：200903032439822370
歪・温度複合センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-034182
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】【目的】 歪検出と温度検出とを一つのセンサで実現でき、かつ狭い場所における歪および温度を精度よく測定できることを目的とする。【構成】 一つの絶縁薄膜基板上に高いゲージ率と高い温度係数とを有した複数の同一薄膜抵抗を用いて歪検出用と温度検出用との2つのホイートストンブリッジ回路を形成している。さらに、歪測定用のホイートストンブリッジ回路の一辺を構成する高いゲージ率と高い温度係数を有した薄膜抵抗の一つを歪発生方向に形成し、他の薄膜抵抗を歪発生方向に対して直角に形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁薄膜基板(10)と、この絶縁薄膜基板上に歪検出方向が歪発生方向に一致するように形成された第1の薄膜抵抗 (R1)と、前記絶縁薄膜基板上に歪検出方向が前記第1の薄膜抗抵と直交するように形成された第2,第3,第4,第5,第6の薄膜抗抵 (R2 〜R6)と、前記第1,2の薄膜抵抗を直列接続してなる直列回路と前記第3,4の薄膜抵抗の直列回路とが並列接続され、各直列回路の中点相互間から第1の出力信号が導出される第1のホイートストンブリッジ回路(15a) と、前記第3,4の薄膜抵抗の直列回路と前記第5,6の薄膜抵抗の直列回路とが並列接続され、各直列回路の中点相互間から第2の出力信号が導出される第2のホイートストンブリッジ回路(15b) とで構成され、少なくとも前記第1,第3の各薄膜抗抵のゲージ率および温度係数が前記第2,第4,第5の各薄膜抗抵のゲージ率および温度係数より大きい金属材料で構成され、前記第1の出力信号を歪検出信号(a) として取出し、前記第2の出力信号を温度検出信号(b) として取出すことを特徴とする歪・温度複合センサ。
IPC (3件)：
G01D 21/02
, G01K 7/00 321
, G01L 1/22
