特許
J-GLOBAL ID：200903032442904353
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-054681
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252407
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 絶縁ゲート縦型電界効果トランジスタのゲート電極の端部における反りの発生を防止し、特性及び歩留りを向上し、かつ信頼性を改善する。【構成】 一導電型(N型)の半導体基板1にポリシリコン膜でゲート電極3を形成し、このゲート電極3に隣接する領域に逆導電型(P型)のベース領域4と一導電型(P型)のソース領域5を形成し、かつゲート電極3の側面にのみ窒化膜6を形成した後、不純物ゲッタリング拡散酸化を行う。これにより、不純物ゲッタリング拡散酸化を行っても、ゲート電極3の端部での反り変形を防止でき、電界効果トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、かつゲート酸化間の信頼性を向上し、電界効果トランジスタの信頼性を改善する。
請求項（抜粋）：
半導体基板をドレイン電極とし、この半導体基板の表面にゲート酸化膜を介してポリシリコンからなるゲート電極を形成し、このゲート電極の隣接箇所にベース領域を形成し、このベース領域にソース領域を形成してなる絶縁ゲート縦型電界効果トランジスタを含む半導体装置において、前記ゲート電極の側面にのみ窒化膜を有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 321 N
, H01L 29/78 321 D
