特許

J-GLOBAL ID：200903032444484254

セラミック基板

発明者： 砂原 博文
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-005196
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211564
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】 高誘電率,高いQ値,及び安定した温度特性を得ながら、低温焼成を可能にして融点の低い電極との同時焼成を実現できるセラミック基板を提供する。【構成】 x・ BaO-y・ TiO2 -z・ NdO3/2(但し、x+y+z=100%)を主成分とし、上記x,y,zをそれぞれ2.5 ≦x≦15,52.5≦y≦70,15≦z≦45モル%範囲とする。これにBi2 O3 を17wt%以下及びPbOを10wt%以下添加してなる誘電体磁器組成物を作成する。また、SiO2 を5〜60wt%、BaOを40〜80wt%、Al2 O3 ,ZrO2 ,TiO2 のうち少なくとも1種を10wt%以下、B2 O3 を5〜20wt%含み、かつNa2 O,K2 O,Li2 Oのうち少なくとも1種を0.01〜7wt%含み、さらにSrO,CaO,MgO,ZnO,PbOを15wt%以下含むガラスを作成する。このガラス5 〜70wt%と上記誘電体磁器組成物30〜95wt%とを混合した組成物を焼成してセラミック基板とする。

請求項（抜粋）：

x・ BaO-y・ TiO2 -z・ NdO3/2(但し、x+y+z=100%)と表したとき、上記x,y,zがそれぞれ2.5 ≦x≦15,52.5≦y≦70,15≦z≦45のモル%の範囲にあるものを主成分とし、これにBi2 O3が17wt%以下及びPbOが10wt%以下添加された誘電体磁器組成物30〜95wt%と、SiO2 を5〜60wt%、BaOを40〜80wt%、Al2 O3 ,ZrO2 ,TiO2 のうち少なくとも1種を10wt%以下、B2 O3 を5〜20wt%含み、かつNa2O,K2 O,Li2 Oのうち少なくとも1種を0.01〜7wt%含み、さらにSrO,CaO,MgO,ZnO,PbOを15wt%以下含むガラス5 〜70wt%とからなる組成物を焼成したことを特徴とするセラミック基板。

IPC (4件)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/16 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46