特許

J-GLOBAL ID：200903032445370457

半導体記憶装置

発明者： 石川 清志 ,  榊原 清彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224498
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086438
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 電荷蓄積電極への電子の注入効率および電荷蓄積電極からの電子の引抜き効率を高めて書込特性および消去特性を向上させることが可能な半導体記憶装置を提供する。【構成】 p型シリコン基板1とフローティングゲート7との間にコントロールゲート5を介在させるように構成する。

請求項（抜粋）：

電気的に情報の書込および消去が可能な半導体記憶装置であって、主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面上にチャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて形成された第2導電型の1対の不純物領域と、前記チャネル領域上に第1の絶縁膜を介して形成された制御電極と、前記制御電極上に第2の絶縁膜を介して形成された電荷蓄積電極とを備えた、半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434