特許
J-GLOBAL ID：200903032446165610
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267913
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】ウエーハプロセス終了後、熱抵抗を減らすために裏面を研削すると、加工歪層が基板外周に到達するため、外力により欠けやすくなる問題を解決する。【構成】面取寸法を両面共、あるいは裏面側のみ大きくし、研削面が面取部と交差するようにして、加工歪層が外周まで到達しないようにする。あるいは研削後、外周部の加工歪層をエッチングあるいは研磨により除去する。
請求項（抜粋）：
外周部に面取部を形成した半導体基板の一面側にウエーハプロセスを施したのちに、他面側を研削して所定の厚さの半導体基板を得る工程を有する半導体装置の製造方法において、研削面の端部が面取面と交差するように面取部を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 301
, H01L 21/304 331
