特許

J-GLOBAL ID：200903032452003001

発光素子

発明者： 酒井 士郎
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213303
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033513
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 GaN系化合物半導体発光素子において、発光効率を向上させる。【解決手段】 サファイア基板10上に順次N型GaN層12、N型GaN系層14、P型GaN系層16を形成し、PN接合型発光素子を形成する。N型GaN系層14はGaNとAlGaNを交互に積層した超格子構造とし、GaNにSiとInをドープし、AlGaNにInをドープして発光効率を向上させる。さらに、GaNとAlGaNとの界面にSiNを形成し、N型GaN系層14の抵抗値を高め、ホールを注入してこの層で発光を生じさせる。P型GaN系層16の膜厚を調整して注入された電子をブラッグ反射させてもよい。

請求項（抜粋）：

GaN系化合物半導体をPN接合してなる発光素子であって、N型半導体層は、GaNとAlGaNを交互に積層して構成されるとともに、前記GaNとAlGaNの界面に離散的にSiNが形成されることを特徴とする発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030FA10 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CB15 ,  5F041FF01 ,  5F041FF14 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54