特許

J-GLOBAL ID：200903032455117024

露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置

発明者： 河田 真太郎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075842
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 コンプリメンタリパターンの繋ぎが増えることがなく、電子光学系の色収差を増加させることがない露光装置、散乱マスク、露光方法及び半導体製造装置を提供すること。【解決手段】 ステンシルマスク製作プロセスとメンプレンマスク制作プロセスとは異なるため、必要なパターンを形成し、それぞれを同じマスク枠(サポートフレーム)に貼り付けてマスクを製作する。これにより、電子線一括露光装置のマスクを必要に応じてステンシルタイプ16とメンブレンタイプ17で構成する。

請求項（抜粋）：

光源からの光を散乱マスクを介して被露光体に照射する露光装置において、前記散乱マスクは、電子線一括転写露光装置に使用するマスクであって、貫通穴を有するステンシルタイプマスクと、本体薄膜上に前記本体薄膜と異なる薄膜のパターンを有するメンブレンタイプマスクとを備えたことを特徴とする露光装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/305

FI (4件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (9件)：

2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BC05 ,  2H095BC09 ,  5C034BB05 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05