特許

J-GLOBAL ID：200903032470074943

強誘電体薄膜素子およびその製造方法

発明者： 李 効民 ,  櫻井 敦 ,  白露 幸祐 ,  田中 克彦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-275428
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106422
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 特性の良い強誘電体薄膜素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本願発明の強誘電体薄膜素子は、Si基板と、Si基板上にエピタキシャル成長させたNaCl結晶構造を有する導電性薄膜と、導電性薄膜上に形成された酸化物の強誘電体薄膜とを含む強誘電体薄膜素子であって、導電性薄膜は、組成式Ti<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>N(ただし、0<x≦0.4)で表される層を含む。また、本願発明の強誘電体薄膜素子の製造方法は、Si基板上にNaCl結晶構造を有する導電性薄膜をエピタキシャル成長させる第1工程と、前記導電性薄膜上に酸化物の強誘電体薄膜を形成する第2工程とを含み、前記導電性薄膜は、組成式Ti<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>N(ただし、0<x≦0.4)で表される層を含む。

請求項（抜粋）：

Si基板と、前記Si基板上にエピタキシャル成長させたNaCl結晶構造を有する導電性薄膜と、前記導電性薄膜上に形成された酸化物の強誘電体薄膜とを含む強誘電体薄膜素子であって、前記導電性薄膜は、組成式Ti<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>N(ただし、0<x≦0.4)で表される層を含む、強誘電体薄膜素子。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 14/00 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/09

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  C23C 14/00 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 41/08 L

Fターム (30件)：

4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA02 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DB20 ,  4K029DB21 ,  4K029DC37 ,  5E082AB03 ,  5E082EE05 ,  5E082EE18 ,  5E082EE19 ,  5E082EE22 ,  5E082EE31 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082KK01 ,  5E082PP03 ,  5F083JA15 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25