グレートーンマスク、これを用いたパターンの形成方法およびイオン注入方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-024932
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250446
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】基板上にイオン注入用マスクパターンを形成しうるグレートーンマスク、これを用いてイオン注入用マスクパターンを形成する方法およびマスクパターンを用いたイオン注入方法を提供する。【解決手段】半導体基板27上にマスク層29を蒸着してから、ここにグレートーンマスクにより形成したフォトレジスト膜パターン33の全面に1次イオン注入32を施し、フォトレジスト膜パターン33を取り除く。イオン注入された部分31は湿式食刻や乾式食刻により選択的に取り除かれるので、イオン注入用マスクパターン29aが形成される。ここに、再び2次イオン注入35を施してからイオン注入用マスクパターン29aを取り除くと、半導体基板27上にイオンの深さの異なる不純物領域37が形成される。半導体基板27上に注入されるイオンの深さを変化させることができ、多数回のイオン注入のとき必要なマスクの数を低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に光線を用いてマスクパターンを転写させるマスクにおいて、前記マスクパターンは光の透過率が部分的に異なるグレートーンマスクパターンを含めて前記マスクを通る光線の透過率が部分的に異なるように調節することを特徴とするマスク。

IPC (3件)：

H01L 21/266 , G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/265 M , G03F 1/08 D , H01L 21/30 502 P

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