特許
J-GLOBAL ID：200903032480875685
磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-096117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076843
出願日： 1999年04月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 磁性薄膜の磁化の不安定性を無くし、メモリセル1個の面積に2ビット以上の情報が記録でき、集積度を飛躍的に高くした磁性薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 低い保磁力を有する垂直磁化膜からなる第1磁性層1と高い保磁力を有する垂直磁化膜からなる第2磁性層2が非磁性層3を介して積層されてなる磁気抵抗膜10であって、第2磁性層のスピンの向きによって情報を記録し、スピンが同じ向きの場合と異なる向きの場合とで抵抗値が異なる磁気抵抗膜10及び良導体からなる書込み線40を有してなる素子を2個以上積層してなることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子、及び記録再生方法。
請求項（抜粋）：
低い保磁力を有する垂直磁化膜からなる第1磁性層と、高い保磁力を有する垂直磁化膜からなる第2磁性層が非磁性層を介して積層されてなる磁気抵抗膜であって、該第2磁性層のスピンの向きによって情報を記録し該第1磁性層のスピンと該第2磁性層のスピンが同じ向きの場合と異なる向きの場合とで該磁気抵抗膜の抵抗値が異なる磁気抵抗膜、及び、該磁気抵抗膜の近傍に絶縁体を介して設けられた良導体からなる書込み線を有してなる素子を、少なくとも2個以上積層してなることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/15
, H04N 5/782 Z
