特許
J-GLOBAL ID：200903032482849754
半導体単結晶成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339995
公開番号（公開出願番号）：特開平7-157388
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月20日
要約：
【要約】【目的】 加熱能力分布が成長軸に対して軸対称に近く、脈動が抑えられた半導体単結晶を成長することができ、また、「鼻出」の発生を防止できる半導体単結晶成長装置を提供する。【構成】 半導体原料棒2を扁平な誘導加熱コイル4を用いて帯域溶融しながら半導体単結晶3を成長させる浮遊帯域溶融法による半導体単結晶成長装置において、誘導加熱コイル4の加熱能力を補助する集光加熱装置12を設け、単結晶側及び/又は多結晶側溶融帯6と対峙する側の誘導加熱コイル4の表面に熱反射領域9を形成し、集光加熱装置12から発せられる熱光線を熱反射領域9で反射させて溶融帯6の表面を補助加熱するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体原料棒を扁平な誘導加熱コイルを用いて帯域溶融しながら半導体単結晶を成長させる浮遊帯域溶融法による半導体単結晶成長装置において、前記誘導加熱コイルの加熱能力を補助する集光加熱手段を設け、単結晶側及び/又は多結晶側溶融帯と対峙する側の該誘導加熱コイル表面に熱反射領域を形成し、前記集光加熱手段から発せられる熱光線を該熱反射領域で反射させて前記溶融帯の表面を補助加熱することを特徴とする半導体単結晶成長装置。
IPC (3件)：
C30B 13/16
, C30B 13/24
, H01L 21/208
