特許
J-GLOBAL ID：200903032484504347
液晶素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊田 善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033961
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230431
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 単結晶Siからなる半導体素子を用いた液晶素子において、強度を向上する。【構成】 多孔質Si上にエピタキシャル成長させることによって作製した単結晶Si層を、表面にSiO2 層を形成したSi基板に貼り付けて上記多孔質Siをエッチング除去した後、半導体素子及び配線等必要な回路を作り込んで駆動電極基板を構成し、対向電極基板とで液晶を挟持した液晶セルを組み上げた後に、上記駆動電極基板の支持基板であるSi基板をエッチング除去し、遮光層を設けたガラス基板を貼り付けて支持する。
請求項（抜粋）：
駆動電極基板と対向電極基板間に液晶を挟持してなる液晶素子であって、少なくとも上記駆動電極基板が単結晶半導体からなる半導体素子を有し、駆動電極基板の支持基板が透明であることを特徴とする液晶素子。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335
, G02F 1/1345
, H01L 27/12
, H01L 29/784
