電気的に消去可能で直接上書き可能な複数ビット単一セル記憶素子及びそれらで作製されるアレイ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-507656
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510317
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】電気的に作動する記憶素子(30)は、電気的抵抗値の広い可変範囲、及びその材料の以前の抵抗値に関わりなく、選択された電気シグナルによって前記ダイナミックレンジ内のいかなる抵抗値にも設定されて複数ビット保存能力を有する単一セルを提供する能力を特徴とする特定体積の記憶材料(36)を具備する。また、記憶素子(30)は、1)記憶材料(36)に隣接して堆積させた、外部物質を記憶材料(36)に侵入することを妨げる拡散障壁として用いられる薄膜層(34、38)、好ましくは窒化炭素チタン又は窒化ケイ素チタン、及び2)記憶材料と隔てて堆積させた、アルミニウム電気移動、拡散に対する障壁を提供し、かつアルミニウム界面でのオーム接触を提供するために用いられる薄膜層(32、40)、好ましくはTi-W合金を含む一対のコンタクト(6、8)も具備する。

請求項（抜粋）：

電気的に動作し、直接上書き可能である、複数ビット、単一セル記憶素子であって、 (1)電気抵抗値の広い可変範囲と、(2)選択された電気入力信号に応答して、該記憶材料の少なくとも1つのフィラメント部を、該可変範囲内の複数の抵抗値のうちの1つに設定して、該単一セル記憶素子に複数ビット保存(multibit storage)能力を付与する能力と、(3)該記憶材料の以前の抵抗値に関わりなく、該フィラメント部が、該可変範囲内の任意の抵抗値に設定され得る能力とを特徴とする特定体積の記憶材料と、該記憶材料を該可変範囲内の選択された抵抗値に設定するために該電気入力信号を供給する、間隔をおいて配置された一対のコンタクトとを具備する前記記憶素子であって、ここにおいて改良が、間隔をおいて配置された前記コンタクトの各々が、該記憶材料に隣接して堆積させた薄膜コンタクト層を有することからなり、ここにおいて、隣接して堆積させた前記薄膜コンタクト層の少なくとも1つが、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W及びそれらの混合物もしくは合金からなる群より選択される1種もしくはそれ以上の元素を、B、C、N、O、Al、Si、P、S及びそれらの混合物もしくは合金から選択される2種もしくはそれ以上の元素と組み合わせて含む、前記単一セル記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , C23C 14/06

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , C23C 14/06 N , H01L 27/04 R

引用特許：

出願人引用 (3件)

特表平6-509909
電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
特開昭63-142690

審査官引用 (5件)

特表平6-509909
特表平6-509909
電気的消去可能型相転移メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-006940 出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド

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