特許
J-GLOBAL ID：200903032491201627
コンデンサの製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
松村 修治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080575
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283268
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 電子部品の小形化,高性能化の要望がますます強くなっている中で、フィルムコンデンサの特徴とアルミ電解コンデンサの特徴を兼ね備えた、小形,大容量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサの製造方法を提供する。【構成】 多孔質化した導電体表面上に、電着によりポリアミック酸の薄膜を形成した後、中間処理を施し、その後加熱脱水してポリイミド皮膜を形成し、再度電着からイミド化までの工程を繰り返してより完全なポリイミド皮膜を形成する。さらに、このポリイミド皮膜の表面上に対極となる導電体層を化学酸化重合によるポリピロール膜と電解重合によるポリピロール膜を順次積層して形成することにより、ポリイミド皮膜の欠陥部が極めて少ない小形,大容量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサが得られる。
請求項（抜粋）：
多孔質化した導電体表面上に、ポリアミック酸塩を含む溶液にポリアミック酸の貧溶媒を添加し電着液として電着を行い、ポリアミック酸の薄膜を形成した後、このポリアミック酸の薄膜を加熱脱水してイミド化することにより前記多孔質化した導電体表面上にポリイミド皮膜を形成し、さらに、このポリイミド皮膜の表面上に対極となる導電体層を形成してなるコンデンサにおいて、ポリアミック酸の薄膜をイミド化する前に、中間処理を施すことを特徴とするコンデンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 4/06 102
, H01B 3/30
, C08G 73/10 NTF
