特許

J-GLOBAL ID：200903032498083964

半導体基板上の金属膜研磨用組成物

発明者： 高橋 秀明
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116864
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308041
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上の金属膜を平坦化する工程において、金属膜を高速に研磨し、かつ金属膜/絶縁膜の研磨選択性および段差平坦性に優れ、スクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる金属研磨用組成物およびそれを用いてなる半導体基板上の金属膜の平坦化方法ならびに半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 金属研磨用組成物として、光触媒性能を有する研磨材および必要に応じて低結晶性微細セルロースを用い、使用するに当り活性光線を照射する。

請求項（抜粋）：

光触媒性能を有する研磨材と水を含んでなる研磨用組成物であって、使用するに当り活性光線を照射することを特徴とする半導体基板上の金属膜研磨用組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/88 K

Fターム (36件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033XX01