特許
J-GLOBAL ID：200903032500503070
高周波増幅回路、送信装置、及び受信装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125651
公開番号（公開出願番号）：特開平8-307159
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 より簡単にかつより大きな低消費電力効果を得ることのできる高周波増幅回路及び送信装置、受信装置を実現する。【構成】 高周波増幅回路を、互いのドレイン電極が電気的に接続され、またゲート電極が高周波的に接続され、かつDC的に分離されているとともに、それぞれが1又は複数のソース接地単位FETにより形成されている第1〜第NのFETグループ(#1〜#N)と、この第1〜第NのFETグループのそれぞれ、もしくは一部を除いたそれぞれに対して、個々にゲート供給電圧のレベルの切り換えることのできるゲートバイアス制御回路17Gとで構成する。そして各FETグループが個別にオン/オフすることで、利得の低下、歪特性の悪化を伴わずに全体としてドレイン電流を下げることができるようにする。
請求項（抜粋）：
互いのドレイン電極が電気的に接続され、またゲート電極が高周波的に接続され、かつDC的に分離されているとともに、それぞれが1又は複数のソース接地単位FETにより形成されている第1〜第NのFETグループと、この第1〜第NのFETグループのそれぞれ、もしくは一部を除いたそれぞれに対して、個々にゲート供給電圧のレベルを切り換えることのできるゲートバイアス制御回路と、から構成されることを特徴とする高周波増幅回路。
IPC (4件)：
H03F 1/02
, H03F 3/68
, H04B 1/04
, H04B 1/16
H03F 1/02
, H03F 3/68 B
, H04B 1/04 E
, H04B 1/16 R
