特許
J-GLOBAL ID：200903032503325025
メツキ被膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-132756
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：
【要約】【目的】 ドライ雰囲気中においてマスクレスで自由なパターンにメッキ被膜(メタライズ層)を形成することができ、しかも、対象とする被メッキ物の種類に対する制限も少なく、メッキ処理工程も簡易なメッキ被膜形成方法を提供する。【構成】 超微粒子膜形成装置で製造された超微粒子を放熱板15の表面に吹き付けて堆積させることによりドライプロセスでダイパッド16を形成する。超微粒子を吐出するノズル17、あるいは放熱板15を走査させることにより所望のパターンのダイパッド16をマスクレスで得られる。
請求項（抜粋）：
ガスデポジション法によって被メッキ物の表面に金属超微粒子からなるメッキ被膜を形成することを特徴とするメッキ被膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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