特許
J-GLOBAL ID：200903032504961774
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007245
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216260
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置およびその製造方法に関するもので、高い信頼性を有する、接続孔における配線を提供することを目的とする。【構成】 結晶粒径を微細化したAl膜11を堆積した後、熱処理を行い、Al膜11を流動させ接続孔に埋め込むという構成を備えたことを特徴とする。【効果】 Al膜の結晶粒径を微細化することにより、結晶粒界密度を高くすることができるので、Al膜の自由エネルギーを大きくすることができる。よって、より少ないエネルギーで結晶状態を変化させることができる。すなわち、再結晶化温度を低くすることができるので、Al膜が流動を始める臨界温度を低くすることができる。したがって、Al膜堆積後の熱処理温度を低くすることができるので、接合リークを引き起こすことなく、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションによる、接続孔における配線の断線不良を防止することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を被着する工程と、前記絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記接続孔内および前記絶縁膜上に結晶粒径を微細化した導電膜を形成する工程と、熱処理により前記導電膜を加熱し流動させて前記接続孔に埋め込む工程とを備えた半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
