特許
J-GLOBAL ID：200903032512872381
太陽電池の製造方法および装置、並びに無定形シリコンの被着方法および被着チャンバ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-112649
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038125
出願日： 1981年05月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】相異なる導電型の無定形半導体材料で形成された互いに隣接する層が、分離された別々のグロー放電チャンバ内で被着されるような太陽電池の製造方法および装置を提供する。【構成】無定形半導体の基板への被着は被着チャンバ24,26および28内でおこなわれる。チャンバ24,26および28は個々の反応ガス混合物の成分が混入し合うのを避けるために相互に隔離されており、相互混合・汚染を防止するために、基板が通過し得る狭いスリットを持ち基板を囲包する分離76および78を採用している。こうして、電気特性の良好な無定形シリコン層を持つ電池が得られる。
請求項（抜粋）：
帯状アルミニウム基板上に陽極酸化層を形成し、該陽極酸化表面上に一連のベースコンタクトを離間させて形成し、グロー放電プラズマから無定形シリコンを各ベースコンタクトの少なくとも一部に被着し、および該被着した無定形シリコン層の少なくとも一部にトップコンタクトを形成することを特徴とする太陽電池の連続的製造方法。
引用特許：
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