特許

J-GLOBAL ID：200903032515570475

半導体処理装置

発明者： 日向 和昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-020986
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230973
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体ウェーハをポリッシングするポリッシング装置において、よりコンパクトな構成で、かつ半導体ウェーハをクリーンな環境の下で均一にポリッシングできるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、回転ドラム21,22にかけわたされたエンドレス状のポリッシングベルト11を、図示矢印A方向に摺動させる。また、ドレッシングブラシ14および水洗ノズル15によりドレッシングされたポリッシングベルト11のポリッシュ砥石面に、砥粒供給ノズル13から砥粒を一様に供給する。そして、そのポリッシュ砥石面に半導体ウェーハHWを押圧しつつ、トップリング12を図示矢印B方向に往復運動させることにより、半導体ウェーハHWを縦および横方向にポリッシングする構成となっている。

請求項（抜粋）：

被加工物に対して平坦化加工処理を施す半導体処理装置において、一方向に摺動するエンドレス状の研磨ベルトと、この研磨ベルトの上部に設けられ、前記研磨ベルトの研磨面に前記被加工物を押圧しつつ、前記研磨ベルトの摺動方向と直交する方向に往復運動する研磨手段と、この研磨手段よりも上流側に設けられ、前記研磨ベルトの摺動方向と直交する方向に研磨剤を供給する供給手段と、前記研磨ベルトの下部に設けられ、前記研磨ベルトの研磨面を洗浄する洗浄手段とを具備したことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304