特許

J-GLOBAL ID：200903032516322149

電界効果トランジスタ

発明者： 内山 章 ,  落合 利幸
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267408
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110077
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 ドレイン及びソース領域のコンタクト抵抗を低減する。【構成】 ゲート電極50の一方及び他方の側部に隣接する一方及び他方の基板40部分にそれぞれ複数個の穴58を設ける。そして一方の基板40部分の表層及び穴部58の側壁の表層に不純物を添加し、ドレイン領域52を形成する。同様に他方の基板40部分の表層及び穴部58の表層に不純物を添加し、ソース領域54を形成する。ドレイン及びソース領域52及び54は穴部58側壁を含むので、ドレイン及びソース領域52及び54の平面的に見た面積を一定としたままでも、穴部58側壁の面積を増加させることにより、ドレイン及びソース領域52及び54と配線金属との間の接続面積を大きくすることができ、この結果、目的を達成できる。換言すれば、ドレイン及びソース領域52及び54を縮小してもこれら各領域のコンタクト抵抗の増加を抑制できる。

請求項（抜粋）：

第一導電型の下地と、該下地上に設けられ前記下地の素子形成領域を露出する窓を有する絶縁膜と、前記素子形成領域のほぼ中央部に順次に設けられたゲート酸化膜及びゲート電極と、該ゲート電極の一方の側部に隣接する一方の素子形成領域に設けたドレイン領域と、前記ゲート電極の他方の側部に隣接する他方の素子形成領域に設けたソース領域とを備え、前記ドレイン領域及びソース領域を前記第一導電型とは反対導電型の第二導電型領域として成る電界効果トランジスタにおいて、前記一方及び他方の素子形成領域の双方又はいずれか一方に起立壁を設け、前記第二導電型領域を前記起立壁に設けることを特徴とする電界効果トランジスタ。