特許

J-GLOBAL ID：200903032516381374

光電変換装置の製造方法

発明者： 林 克彦 ,  山岸 英雄
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228523
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053304
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 基板上に形成された薄膜の除去を安価な装置で、容易かつ確実に行うことを可能とする、光電変換装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 第1の電極、半導体層、および第2の電極の積層体からなり、基板上に一方向に複数個直列に接続され、集積化された複数の単位素子を構成し、この集積化単位素子の接続終端部における第1の電極層の延長部上の半導体層および第2の電極層を部分的に除去し、そこに取り出し電極を形成することからなる光電変換装置の製造方法において、第1の電極層の分割、半導体層の接続用開口部の開口、第2の電極層の分割、および第1の電極層の延長部上の半導体層および第2の電極層の部分的除去の少なくとも1つを、ブラスト処理により行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の領域に分割して設けられた第1の電極層上に、2つの第1の電極層上にまたがって一方の第1の電極層上に開口した接続用開口部を有する半導体層を設け、この半導体層上に、前記接続用開口部を介して一方の第1の電極層と電気的に接続した、複数に分割された第2の電極層を設けることにより、第2の電極層と他方の第1の電極層に挟まれた領域よりなる、一方向に複数個直列に接続され、集積化された複数の単位素子を構成し、この集積化単位素子の接続終端部における第1の電極層の延長部上の半導体層および第2の電極層を部分的に除去し、そこに取り出し電極を形成することからなる光電変換装置の製造方法において、前記第1の電極層の分割、前記半導体層の接続用開口部の開口、前記第2の電極層の分割、および前記第1の電極層の延長部上の半導体層および第2の電極層の部分的除去の少なくとも1つを、ブラスト処理により行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。

Fターム (7件)：

5F051EA01 ,  5F051EA02 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA13 ,  5F051EA20