特許

J-GLOBAL ID：200903032518194750

CuInSe2系光電変換素子の作製方法

発明者： 菅野 克夫 ,  石田 典也 ,  光根 裕 ,  伊藤 和人 ,  菊地 英治
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230912
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048141
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 改善された光起電力を持つCuInSe2 系光電変換素子を、安全かつ経済的に作製する方法の開発。【構成】 膜厚約 0.1μmのMoスパッター膜付きガラス基板上に気相セレン化法で厚さ 0.5μmのp形CuInSe2 膜を形成した後、Br2 濃度 0.005mol/l 、KBr濃度 150 g/lの水溶液でCuInSe2 膜表面を 200A(オングストローム)エッチング除去し、純水で洗浄、乾燥した後、ノンドープCdSを2,000 A、InドープCdSを 8,000Aを順次蒸着して光電変換素子を作製する。

請求項（抜粋）：

基板上のp形CuInSe2 層にn形半導体層を積層してpn接合を形成する光電変換素子の作製において、n形半導体層を積層する前にp形CuInSe2 層表面を 100〜500 A(オングストローム)の極微小な厚さでエッチング除去することを特徴とするCuInSe2 系光電変換素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/308 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 E