特許

J-GLOBAL ID：200903032524282393

透明電極上の電極形成法

発明者： 久松 雅哉 ,  三村 敏彦
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344490
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196730
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 透明電極上に低抵抗で高精細な電極を安価に且つ高信頼性で形成する。【構成】 透明電極10の上に形成した第1の導電層11の上に、はんだ溶解浴への浸漬処理により第2の導電層12を形成し、更に第2の導電層12の上にクリーム状のはんだの加熱溶融処理により第3の導電層13を順次積層する。また第3の導電層13に用いるはんだの融点を第2の導電層12に用いるはんだの融点よりも低くしても良い。

請求項（抜粋）：

透明電極上に第1の導電層を形成し、次いではんだ溶解浴に浸漬して第2の導電層を前記第1の導電層上に形成するとともに、前記第2の導電層上にクリーム状のはんだを所望の厚さに形成し、前記クリーム状のはんだを加熱溶解して第3の導電層を形成してなることを特徴とする電極形成法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M ,  H01L 21/92 F