特許

J-GLOBAL ID：200903032526368279

液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 西川 龍司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-157310
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022029
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 正スタガー型TFTを用いた液晶表示装置において、ゲート配線Alのヒロックによるゲート・ソース間及びゲート・ドレイン間のショートを防止し、歩留まりを向上する。【構成】 ゲート配線(19,20)のパターンをゲート絶縁層(18)よりも小さく形成することにより、ゲート配線(19,20)とソース・ドレイン配線(14,15,16)の離間距離が長くなる。このため、ゲート配線Alにヒロックが生じても、ソース・ドレイン配線にまでは達せず、前記目的が達成される。このような液晶表示装置は同じフォトレジストを用いたエッチングにおいてサイドエッチ量を調節して、ゲート配線(19,20)のパターンをゲート絶縁層(18)よりも小さくすることにより製造される。

請求項（抜粋）：

基板上にマトリクス状に配置された表示電極と、該表示電極の列間に形成されたドレインラインと、前記表示電極の行間に形成されたゲートラインと、前記ドレインラインとゲートラインの交差部に形成された薄膜トランジスタとを有する液晶表示装置において、前記ゲートラインは、半導体層、絶縁層及び金属層からなる積層体の前記金属層により構成されるとともに、その一部が前記表示電極と前記ドレインラインの近接部上に配置されて前記薄膜トランジスタを形成し、かつ、前記金属層の線幅を、前記半導体層及び前記絶縁層の線幅よりも狭くしたことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345 ,  H01L 29/786