特許

J-GLOBAL ID：200903032527625003

半導体装置及びその製造方法

発明者： 原 昌輝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-017531
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199978
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 配線間等の寄生容量を大幅に低減させ、且つ、配線よりも上層の膜の剥離等を防止して、動作が高速な半導体装置を高い歩留りで製造する。【解決手段】 プラグとしてのW膜14とAl合金膜15とで配線を形成し、貫通孔17aを有するSiO2 膜17をW膜14及びAl合金膜15上と非晶質カーボン膜12、16上とに形成し、加熱及び灰化で非晶質カーボン膜12、16を貫通孔17aから除去する。このため、非晶質カーボン膜12、16が存在していた部分が空隙18になって寄生容量が低減し、非晶質カーボン膜12、16の分解生成物に対するその後の熱的・化学的作用を防止することもできる。

請求項（抜粋）：

接続孔を有する第1の層間膜を下地上に形成する工程と、前記接続孔を埋めると共に前記第1の層間膜上に延在する配線を形成する工程と、前記配線の上面部以外を埋める第2の層間膜を前記第1の層間膜上に形成する工程と、貫通孔を有する絶縁膜を前記配線上及び前記第2の層間膜上に形成する工程と、前記第2及び第1の層間膜を分解し前記貫通孔を介して分解生成物を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/28 301 R