特許

J-GLOBAL ID：200903032529726150

レジストパターンの形成方法及び微細加工方法

発明者： 谷平 昌英
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108653
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288877
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジストと現像液との親和性の不足によって発生する気泡を低減させ、高精度のレジストパターン形成及び微細加工を可能にすること。【解決手段】 半導体基体上にフォトレジスト膜を設ける第1工程と、フォトレジスト膜を所定の微細パターンに露光処理する第2工程と、露光処理されたフォトレジスト膜表面を、フォトレジスト膜と現像液との親和性を向上させるアルコール水溶液等を用いて処理する第3工程と、前記現像液を用いて前記フォトレジスト膜を現像処理する第4工程とを有する、レジストパターンの形成方法及び微細加工方法。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト膜を所定形状にパターニングするレジストパターンの形成方法において、基体上にフォトレジスト膜を設ける第1工程と、前記フォトレジスト膜を所定形状に露光処理する第2工程と、前記露光処理されたフォトレジスト膜表面を、前記フォトレジスト膜と現像液との親和性を向上させる前処理剤を用いて処理する第3工程と、前記現像液を用いて前記フォトレジスト膜を現像処理する第4工程とを有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/30 568 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/306 D