特許
J-GLOBAL ID:200903032532928413
全反射PIXE分析法及びその装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西岡 義明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-067295
公開番号(公開出願番号):特開平7-280753
出願日: 1994年04月05日
公開日(公表日): 1995年10月27日
要約:
【要約】【目的】 薄膜結晶体を使用することで、高速荷電粒子ビームを平行にコリメートする全反射PIXE分析法及び装置を提供する。【構成】 高速荷電粒子ビームSを、結晶体1の結晶軸2に沿った角度で入射することによって、平行なコリメートビームとして取り出す。この平行にコリメートされた平行ビームPを極めて小さい角度で分析試料Wに照射することによって、分析試料Wから発生した特有X線UをX線検出器4で検出して、分析試料Wに含まれた元素の定量を行う。
請求項(抜粋):
高速荷電粒子ビームを平行にコリメートし、分析試料の表面に極めて小さい角度で入射させ、分析試料の最表面層に含まれる元素を励起して発生した特性X線を検出することによって、この元素を定量する全反射PIXE分析法において、前記高速荷電粒子ビームを、比較的薄い結晶体の結晶軸に沿った角度で入射させことによって、平行にコリメートすることを特徴とする全反射PIXE分析法。
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