SiC素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外2名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1997000855
公開番号（公開出願番号）：WO1997-039476
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1997年10月23日
要約：

【要約】炭化珪素結晶を酸素雰囲気で加熱し酸化珪素薄膜を炭化珪素結晶表面に形成し、前記炭化珪素結晶表面に形成された酸化珪素薄膜をエッチングすることにより、高パワーデバイス・高温デバイス・耐環境性デバイスなどの半導体素子に応用可能な、ワイドバンドギャップ半導体材料である、炭化珪素(SiC)の素子及び単結晶薄膜の製造方法を提供する。前記SiC素子は、パターン化された段差とテラスを有する表面により構成され、表面欠陥密度が108cm-2以下であるか、または少なくとも、n型の炭化珪素結晶がn型のSi基板表面に形成された層状構造を含む構造である。

請求項（抜粋）：

炭化珪素結晶を酸素雰囲気で加熱し酸化珪素薄膜を炭化珪素結晶表面に形成するプロセスと、前記炭化珪素結晶表面に形成された酸化珪素薄膜をエッチングするプロセスを含むSiC素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/205

前のページに戻る