特許
J-GLOBAL ID：200903032543872010
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079317
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243354
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 ウェハを破壊することなく、エピタキシャル結晶層の組成評価を行なう。【構成】 p型基板1の一部にn型領域6を設け、該n型領域を設けた基板上に半導体膜2,3をエピタキシャル成長し、この後、上記n型領域上にエピタキシャル成長した膜のフォトルミ評価を行うようにした。【効果】 n型領域上に形成された半導体膜からは十分な強度のフォトルミネッセント光が得られるため、非破壊でのフォトルミ分光による組成評価を可能とできる。
請求項（抜粋）：
p形基板上に形成される半導体装置の製造方法において、ウエハ状のp型基板の一部にn型領域を設ける工程と、上記n型領域を設けた基板上に半導体膜をエピタキシャル成長する工程と、上記n型領域上に形成されたエピタキシャル成長膜に対し励起光を照射し、上記エピタキシャル成長させた膜からのフォトルミネッセント光を測定して該膜の組成評価を行なう工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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