特許
J-GLOBAL ID：200903032545502806
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131416
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074366
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 基板上に複数のTFTを設けた装置において、必要とする特性を備えたTFTを得る。【構成】 例えば、アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、周辺回路部分は、基板表面に対して平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用い、画素部分においては、基板表面に対して垂直な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を用いる。そして、周辺回路部分においては、高移動度を有するTFTを形成し、画素部分においては、電荷保持率を高めるためにオフ電流の小さいTFTを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に結晶性珪素膜を用いた薄膜トランジスタが多数設けられた半導体装置であって、前記多数の薄膜トランジスタの一部は、基板表面に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜よりなり、前記多数の薄膜トランジスタの他の一部は、基板表面に対し垂直方向に結晶成長した結晶性珪素膜よりなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 C
