特許
J-GLOBAL ID：200903032547708550
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176346
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021060
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路の外部からの電磁波の侵入をカットし、回路の誤動作を防止する。【構成】下層のアルミニウム配線3と上層のアルミニウム配線7の間に設けた層間絶縁膜4,6の間に挟んで設けたフェリ磁性体膜5及び層間絶縁膜8の上に設けたフェリ磁性体膜9を備えることにより半導体基板1及びアルミニウム配線3,7を電磁波よりシールドする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けた下層配線と、前記下層配線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に設けた上層配線とを有する半導体集積回路装置において、前記下層配線と上層配線との中間及び前記上層配線の上にそれぞれ層間絶縁膜を介して設けたフェリ磁性体膜を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 27/04
