特許
J-GLOBAL ID：200903032552212244
半導体プロセスモニタリング方法及び半導体プロセスモニタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383209
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188150
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に形成した膜厚等の計測を簡単に非破壊で行うことができる半導体プロセスモニタリング方法及びモニタリング装置を提供する。【解決手段】 プラズマを用いて半導体基板の厚み加工を行う半導体プロセスモニタリング方法において、プラズマ処理に要するプラズマの物理量と、処理対象となる半導体基板8の厚み又は厚みの変化量との相関関係を予め求めておき、半導体基板8をプラズマ処理するときに、プラズマ処理中のプラズマの物理量を計測し、前記相関関係に基づいて、前記半導体基板8の厚みの変化量又は厚み量を算出し、前記半導体基板8の厚みが所望の厚みになればプラズマ処理を終了する。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いて半導体基板の厚み加工を行う際の半導体プロセスモニタリング方法において、プラズマ処理に要するプラズマの物理量と、処理対象となる半導体基板の厚み又は厚みの変化量との相関関係を予め求めておき、半導体基板をプラズマ処理するときに、プラズマ処理中のプラズマの物理量を計測し、前記相関関係に基づいて、前記半導体基板の厚みの変化量又は厚み量を算出し、前記半導体基板の厚みが所望の厚みになればプラズマ処理を終了することを特徴とする半導体プロセスモニタリング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05H 1/00 A
, H01L 21/302 E
5F004AA16
, 5F004CB02
, 5F004CB07
