特許
J-GLOBAL ID：200903032553013601
均一に薄くした基体の非接触プラズマ研磨および平滑のための方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038513
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005571
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、均一に薄くした半導体等の基体の制御可能で予め予測できる非接触プラズマ研磨の方法を提供することを目的とする。【構成】 プラズマチャンバ空洞を限定する絶縁体16と、プラズマシースの厚さよりも小さいプラズマ内のイオンのイオン衝突平均自由行程を生ずるような圧力でプラズマチャンバ空洞14に処理ガスを供給する拡散器20と、反応性プラズマにガスを分解させるようにプラズマチャンバ空洞内の処理ガスに高周波パワーを供給する電極22とを備えて基体の局部的領域で局部的プラズマエッチング反応を行う手段と、プラズマチャンバ空洞14の外部周辺を囲んで空洞の外側のプラズマ生成を抑制する絶縁体28と、基体に関してプラズマチャンバ空洞の位置を調節するXーY位置移動台47とを有する反応装置を具備していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
表面を平滑し、研磨する基体の表面上の単方向性プラズマ補助化学的エッチング反応を実行する材料除去装置において、プラズマチャンバ空洞を限定する手段と、プラズマシースの厚さよりも小さいプラズマ内のイオンのイオン衝突平均自由行程を生ずるような圧力でプラズマチャンバ空洞に処理ガスを供給する手段と、反応性プラズマに前記ガスを分解する生ずるようにプラズマチャンバ空洞内の前記処理ガスに高周波パワーを供給する手段とを具備している基体の局部的領域において局部的プラズマエッチング反応を行う手段と、プラズマチャンバ空洞の外部周辺を囲み、前記プラズマチャンバ空洞の外側のプラズマ生成を抑制する手段と、基体の異なる制限領域に局部的プラズマエッチング反応の位置を調節するように前記基体に関連して前記プラズマチャンバ空洞の位置を調節する手段とを有する反応装置を具備していることを特徴とする材料除去装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, C23F 4/00
, H01L 21/302
