特許

J-GLOBAL ID：200903032554350377

シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法

発明者： 布施川 泉 ,  北川 幸司 ,  星 亮二 ,  桜田 昌弘 ,  太田 友彦
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001005565
公開番号（公開出願番号）：WO2002-002852
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月10日
要約：

【要約】本発明は、CZ法で育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、抵抗調節用ドープ剤以外はドープしないで、0.5mm/min以上の成長速度で成長した単結晶から作製した直径200mm以上のウエーハであって、グローンイン欠陥として原子空孔起因の八面体空洞欠陥も格子間シリコン起因の転位クラスターも存在しないシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法である。これにより、成長欠陥である八面体空洞欠陥と転位クラスターの両方を実質上排除したシリコン単結晶を通常のCZ法により従来より高速にて育成し、さらに結晶中の格子間酸素濃度を低く制御することにより、析出量を低く抑え、ウエーハ面内のBMDの不均一性を向上させた高品質、大口径シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法が提供される。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法で育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、抵抗調節用ドープ剤以外はドープしないで、0.5mm/min以上の成長速度で成長した単結晶から作製した直径200mm以上のウエーハであって、グローンイン欠陥として原子空孔起因の八面体空洞欠陥も格子間シリコン起因の転位クラスターも存在しないことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/322

FI (4件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 G ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/322 Y