半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-091638
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270545
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】素子分離幅の抑制と、ウエル分離と素子間の分離の最適化を同時にできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板21上に第1のバッファ酸化膜25を形成する工程と、この第1のバッファ酸化膜上にレジストをパターンニング後、前記第1のバッファ酸化膜を通して第1導電型の不純物27を注入する工程と、前記不純物注入領域と隣接する領域にレジストのパターンニングを行ない、前記第1導電型と反対の第2導電型の不純物29を注入する工程と、熱処理を行なって前記不純物を拡散してウエルを形成する工程と、前記第1のバッファ酸化膜を剥離する工程と、第2のバッファ酸化膜32を形成する工程と、窒化膜33を形成してレジストを素子形成領域にパターンニングした後、エッチングする工程と、フィールド酸化を行なって素子分離領域を形成する工程とを備えるようにする。これにより、素子分離幅を抑制し、ウエル分離と素子間分離の最適化を図る。

請求項（抜粋）：

基板上に第1のバッファ酸化膜を形成する工程と、この第1のバッファ酸化膜上にレジストをパターンニング後、前記第1のバッファ酸化膜を通して第1導電型の不純物を注入する工程と、前記不純物注入領域と隣接する領域にレジストのパターンニングを行ない、前記第1導電型と反対の第2導電型の不純物を注入する工程と、熱処理を行なって前記不純物を拡散してウエルを形成する工程と、前記第1のバッファ酸化膜を剥離する工程と、第2のバッファ酸化膜を形成する工程と、窒化膜を形成してレジストを素子形成領域にパターンニングした後にエッチングする工程と、フィールド酸化を行なって素子分離領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 21/316 , H01L 27/08 331

FI (4件)：

H01L 21/76 M , H01L 27/08 331 B , H01L 21/265 , H01L 21/94 A

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