特許
J-GLOBAL ID：200903032559067193
微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-081172
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：
【要約】【目的】リード強度や電気抵抗などの実用性を低下することなく、微細配線パターンの形成を可能にする。【構成】基板4上に積層した銅箔3をエッチングする前に、予め銅箔3の表面に、ニッケルめっき2を行う。めっき後、ニッケルめっき2の上にフォトレジストを用いてエッチングレジストパターン1を形成する。パターン形成後、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を吹き付けてエッチングを行い、微細配線パターンを形成する。ニッケルめっき2は銅箔3よりもエッチング速度が遅いので、フォトレジスト下部のサイドエッチ量が抑制される。
請求項（抜粋）：
金属材をエッチング加工して微細パターンを形成するに際し、前記金属材の表面に該金属材よりエッチング速度が遅く、かつ金属材と同じエッチング液でエッチング可能な被膜を設け、該被膜上にレジストパターンを形成してエッチング加工することを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (2件)：
C23F 1/00 102
, H05K 3/06
