特許

J-GLOBAL ID：200903032560355585

レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法

発明者： 川井 健治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-007228
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209046
出願日： 2002年01月16日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 塩基性物質を含む下地膜とその上に形成される化学増幅型レジストとの界面における酸失活現象を抑制し、塩基性物質を含む下地膜上でも精度の高いレジストパターンを形成する。【解決手段】 塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンを含むガスを用いたプラズマ中に晒す表面処理工程と、表面処理された前記下地膜上に化学増幅型レジストを形成する工程と、前記化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って前記化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えたレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 502 Z ,  H01L 21/302 H

Fターム (31件)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA06 ,  2H096CA20 ,  2H096DA03 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096LA30 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F046CC01 ,  5F046HA05 ,  5F046HA07