特許

J-GLOBAL ID：200903032560712566

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 徳永 和彦 ,  鈴木 篤 ,  柏木 章秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098855
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289905
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】欠陥や弱いSi-O結合を含まず、高い信頼性を有するシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、(イ)シリコン層40の表面にシリコン酸化膜42を形成する第1のシリコン酸化膜形成工程と、(ロ)該シリコン酸化膜42を選択的にエッチングするエッチング工程と、(ハ)シリコン酸化膜42を再び形成する第2のシリコン酸化膜形成工程と、(ニ)第2のシリコン酸化膜形成工程よりも高い雰囲気温度にて、更にシリコン酸化膜42を形成する第3のシリコン酸化膜形成工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する第1のシリコン酸化膜形成工程と、(ロ)該シリコン酸化膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、(ハ)シリコン酸化膜を再び形成する第2のシリコン酸化膜形成工程と、(ニ)第2のシリコン酸化膜形成工程よりも高い雰囲気温度にて、更にシリコン酸化膜を形成する第3のシリコン酸化膜形成工程、から成ることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E