特許

J-GLOBAL ID：200903032564944496

薄膜磁気素子及びその製造方法

発明者： 寺坂 正二 ,  三寺 正雄 ,  白川 究 ,  松本 文夫 ,  藤森 啓安 ,  増本 健 ,  大沼 繁弘 ,  山口 一幸
出願人/特許権者： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029368
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240315
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高周波領域でインダクタンスなどの電気的、磁気的特性の優れた薄膜磁気素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、導体コイル11と絶縁層を介した強磁性体よりなる上部磁心2u,下部磁心2dとからなる薄膜磁気素子において、強磁性体よりなる上部磁心2u,下部磁心2dの磁化容易軸方向が導体コイル11中を流れる電流方向22またはそれと直角となるように磁気異方性が制御された磁性体よりなる上部磁心2u,下部磁心2dを有することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

導体コイルと絶縁層を介した強磁性体とからなる薄膜磁気素子において、強磁性体の磁化容易軸方向が導体コイル中を流れる電流方向となるように磁気異方性が制御された磁性体を有することを特徴とする薄膜磁気素子。

IPC (3件)：

H01F 17/00 ,  H01F 41/04 ,  H01F 41/14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-221812