特許

J-GLOBAL ID：200903032565655323

絶縁体薄膜の製造方法と製造装置および半導体装置

発明者： 澁谷 宗裕 ,  北村 一樹 ,  三浦 正範 ,  武富 義尚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303640
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127059
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は半導体工業における半導体薄膜素子及びその製造方法に関し、特にアクティブマトリックス方式の液晶ディスプレイ等に用いられる薄膜トランジスタ(TFT)及びその製造方法に関する。TFTのゲート絶縁層として使用可能な絶縁体薄膜の製造方法および製造方法。【解決手段】 本発明ではプラズマの発生部分と基板との間に少なくとも一部分を遮蔽する位置に触媒体を設置する。これによりプラズマによる原料ガスの分解と触媒による加熱分解の効果により600°C以下の低温で、下地に対する損傷が小さくかつ絶縁性の優れた絶縁体薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

ガス導入口,真空排気口に接続された真空容器内において、絶縁体薄膜の構成元素を含む原料を減圧下で放電分解して発生したプラズマ中のラジカルを、前記プラズマの発生部と少なくともプラズマの一部分を遮蔽されたところに設置された基板に照射して絶縁体薄膜を形成または改質する工程において、前記遮蔽物が触媒体であることを特徴とする、絶縁体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (36件)：

5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03