特許
J-GLOBAL ID：200903032565806291
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-344555
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175144
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 MBE,MOCVD,MOVPE等の結晶成長技術によってIII-V族化合物半導体層あるいはII-VI族化合物半導体層とIV族元素半導体層を積層した構造を有する半導体装置およびその製造方法に関し、隣接する半導体層を構成する元素の相互拡散を抑制する。【構成】 GaAs,GaSb,ZnSe等のIII-V族化合物半導体層あるいはII-VI族化合物半導体層2,6とGe,Sn等のIV族元素半導体層4の界面に、これらの化合物半導体層2,6と元素半導体層4を構成する原子が相互拡散するのを抑制するためのSi等の原子拡散抑制層3,5を介挿し、この原子拡散抑制層によって、隣接する半導体層の結晶構造ならびに電気的性質を円滑に接続して半導体装置の特性を改善する。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体層あるいはII-VI族化合物半導体層とIV族元素半導体層の界面に、これらの化合物半導体層と元素半導体層を構成する原子が相互拡散するのを抑制するための原子拡散抑制層が介挿され、該原子拡散抑制層が両半導体層の結晶構造ならびに電気的性質を円滑に接続している構造を一つあるいはそれ以上含むことを特徴とするMBE,MOCVD,MOVPE等の結晶成長技術によって製造された半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
