特許

J-GLOBAL ID：200903032566721362

非対称クラッドを有する半導体リッジ導波管レーザ

発明者： クリストフ・エス・ハーダー ,  スリダール・ヴィー・イエル ,  ハインツ・ピー・マイヤー ,  アルフレッド・フィリップス・ジュニア ,  アッバース・ベフファル=ラード
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022376
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318764
出願日： 1994年02月21日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体レーザ垂直構造の上下のAlGaAsクラッド層のAl濃度の差を変えることによって、半導体リッジ・レーザの水平遠視野パラメータを制御する技法を提供する。【構成】 本発明によれば、レーザ構造に、基板、基板上のAlGaAsからなる第1または下側のクラッド層14、下側クラッド層上の活性層12、および活性層上のAlGaAsからなる第2または上側のクラッド層16が含まれる、高い値の水平遠視野を有する半導体リッジ導波管レーザが提供される。上側クラッド層には、マスクを介して上側クラッド層をエッチングすることによって形成される盛り上がったリッジ部分22が含まれる。リッジ部分の上に接触層18を付着する。下側クラッド層のアルミニウム・モル濃度は、上側クラッド層のアルミニウム・モル濃度より高い。これによって、光モードが強制的に上側クラッド層に向けられ、横導波管閉込めが増大して、高い水平遠視野を生じる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板上に付着された第1の下側クラッド層と、前記第1クラッド層上に付着された活性層と、前記活性層上に付着され、その上に延びる盛り上がったリッジ部分を含む第2の上側クラッド層と、前記第2クラッド層上に付着された接触層とを含み、前記第2クラッド層の前記盛り上がったリッジ部分が、前記接触層と前記第2クラッド層とをマスクを用いて選択的にエッチングして、前記第2クラッド層のエッチングされた非リッジ部分より厚いリッジ部分を提供することによって形成され、前記リッジ部分が、前記接触層を支持するための幅を有し、前記第1クラッド層が、AlGaAsからなり、アルミニウムの第1モル濃度値を有し、前記第2クラッド層が、AlGaAsからなり、アルミニウムの第2モル濃度値を有し、前記第1の下側クラッド層のアルミニウム・モル濃度が、前記第2の上側クラッド層のアルミニウム・モル濃度より高いことを特徴とする、半導体リッジ導波管レーザ構造。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 ,  H01P 3/16